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Waferbeheizung
Allgemeine Beschreibung:
Die vollkeramischen Heizelemente aus Siliziumnitrid von Bach RC eignen sich sehr gut zur Verwendung in Halbleiter-Produktionsanlagen, insbesondere beim Waferbonden: Die keramischen Heizelemente werden auf sehr gute Ebenheit und Parallelität geschliffen. Die geringe Wärmedehnung von Siliziumnitrid sorgt dafür, dass auch bei hohen Temperaturen diese gute Ebenheit und Parallelität erhalten bleibt und nur minimaler thermischer Verzug auftritt. Zudem stimmt die Wärmedehnung von Siliziumnitrid gut mit der von Silizium überein, so dass auch zwischen dem Wafer und dem Heizelement beim Aufheizen kaum eine Relativbewegung stattfindet. Zusammen mit der sehr hohen Druckbeständigkeit der Keramikheizer bilden diese Eigenschaften die Grundlage für eine optimale Bondhomogenität. Die wafernahe Beheizung erlaubt es, die aufzuheizende thermische Masse gering zu halten, so dass kurze Zykluszeiten und somit hohe Produktivität realisiert werden können. Bach RC bietet Heizplatten für die typischen Waferformate, insbesondere 4"/6"/8" und 12", als Standardgrößen an. Weitere Größen bis 450 mm Durchmesser oder ein spezielles Layout der Heizplatten entwickeln und fertigen wir gerne kundenspezifisch für Sie. So lassen sich verschiedene Ausstattungsmerkmale integrieren: Durchgangsbohrungen für Lift-Pins, Bohrungen für integrierte Temperatursensoren, Vakuum-Chuck-Funktion, Kühlfunktion, Auslegung mit mehreren separat regelbaren Heizkreisen zur Optimierung der Temperaturhomogenität, elektrostatische Ableitung von der Plattenoberfläche, Elemente zur Befestigung der Heizplatte.
Grundwerte:
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Abmaße | 90 x 90 x 6,0 mm |
| Beheizter Bereich | 90 x 90 x 6,0 mm |
| Tmax | 500 °C |
| Bemerkung | - |
Details:
- Standard
-
Beschreibung
* Die tatsächliche Leistung ist vom Widerstand, der Temperatur und der Spannung abhängig.
Parameter Wert Artikelnr. FLE 100 527 Widerstand @ 20 °C 70 Ω ±25 % Nennspannung 230 V Nennleistung @ 20 °C 755 W*